Bomkey (HK) Elektronik GmbH!

    Einzeldioden

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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    SIDC03D60C8X1SA2

    SIDC03D60C8X1SA2

    DIODE GEN PURP 600V 10A DIE

    Infineon Technologies

    6,874
    RFQ
    SIDC03D60C8X1SA2

    Datenblatt

    - Die Bulk Active Standard 600 V 10A 1.95 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 600 V - - - Surface Mount Die -40°C ~ 175°C
    SIDC14D60F6X1SA1

    SIDC14D60F6X1SA1

    DIODE GEN PURP 600V 45A DIE

    Infineon Technologies

    3,961
    RFQ
    SIDC14D60F6X1SA1

    Datenblatt

    - Die Bulk Obsolete Standard 600 V 45A 1.6 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 600 V - - - Surface Mount Die -40°C ~ 175°C
    SIDC14D60C8X1SA2

    SIDC14D60C8X1SA2

    DIODE GEN PURP 600V 50A DIE

    Infineon Technologies

    5,185
    RFQ
    SIDC14D60C8X1SA2

    Datenblatt

    - Die Bulk Active Standard 600 V 50A 1.9 V @ 50 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 600 V - - - Surface Mount Die -40°C ~ 175°C
    DFLS130L-7-G

    DFLS130L-7-G

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A PWRDI123

    Diodes Incorporated

    4,042
    RFQ
    DFLS130L-7-G

    Datenblatt

    - POWERDI®123 Strip Obsolete Schottky 30 V 1A 310 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 30 V 76pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount PowerDI™ 123 -40°C ~ 125°C
    1N5819A-01

    1N5819A-01

    DIODE SCHOTTKY DO41

    Diodes Incorporated

    2,656
    RFQ
    1N5819A-01

    Datenblatt

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
    B0540W-7-G

    B0540W-7-G

    DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123

    Diodes Incorporated

    7,155
    RFQ
    B0540W-7-G

    Datenblatt

    - SOD-123 Strip Obsolete Schottky 40 V 500mA 510 mV @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 40 V 170pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount SOD-123 -65°C ~ 150°C
    SB540-A

    SB540-A

    DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO201AD

    Diodes Incorporated

    9,809
    RFQ
    SB540-A

    Datenblatt

    - DO-201AD, Axial Bulk Obsolete Schottky 40 V 5A 550 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 40 V - - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 125°C
    SB120A-T

    SB120A-T

    DIODE SCHOTTKY DO41

    Diodes Incorporated

    9,578
    RFQ
    SB120A-T

    Datenblatt

    - - Strip Obsolete - - - - - - - - - - - - -
    DCG35C1200HR

    DCG35C1200HR

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18A ISO247

    IXYS

    8,464
    RFQ
    DCG35C1200HR

    Datenblatt

    - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 18A 1.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 1.5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
    DCG10P1200HR

    DCG10P1200HR

    DIODE SCHOTT 1.2KV 12.5A ISO247

    IXYS

    3,586
    RFQ
    DCG10P1200HR

    Datenblatt

    - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 12.5A 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 1200 V 755pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
    DCG17P1200HR

    DCG17P1200HR

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18A ISO247

    IXYS

    6,538
    RFQ
    DCG17P1200HR

    Datenblatt

    - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 18A 1.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 1500pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
    DCG20C1200HR

    DCG20C1200HR

    DIODE SIC 1.2KV 12.5A ISO247

    IXYS

    3,933
    RFQ
    DCG20C1200HR

    Datenblatt

    - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 12.5A 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 1200 V 755pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
    00670

    00670

    REC 800V/1A DO41 1N4006

    Vicor Corporation

    6,054
    RFQ
    00670

    Datenblatt

    * - Tray Obsolete - - - - - - - - - - - - -
    CPD65-BAV45-CM

    CPD65-BAV45-CM

    DIODE GEN PURP 20V 50MA DIE

    Central Semiconductor Corp

    8,468
    RFQ
    CPD65-BAV45-CM

    Datenblatt

    - Die Tray Obsolete Standard 20 V 50mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 600 ns 10 pA @ 20 V 1.3pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount Die -65°C ~ 125°C
    STPS1150AFN

    STPS1150AFN

    DIODE SCHOTTKY 150V 1A SMAFLAT

    STMicroelectronics

    6,179
    RFQ
    STPS1150AFN

    Datenblatt

    ECOPACK®2 DO-221AC, SMA Flat Leads Tape & Reel (TR) Active Schottky 150 V 1A 820 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 150 V - - - Surface Mount SMAflat 175°C (Max)
    STPS3H100UFNY

    STPS3H100UFNY

    3 A 100 V SCHOTTKY RECTIFIER

    STMicroelectronics

    3,494
    RFQ
    STPS3H100UFNY

    Datenblatt

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
    CSIC10-1200

    CSIC10-1200

    DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

    Central Semiconductor Corp

    4,931
    RFQ
    CSIC10-1200

    Datenblatt

    - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
    RBE05AS20AT2R

    RBE05AS20AT2R

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA VML2

    Rohm Semiconductor

    4,176
    RFQ
    RBE05AS20AT2R

    Datenblatt

    - 2-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 20 V 500mA 530 mV @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 µA @ 20 V - - - Surface Mount VML2 125°C
    WNSC201200CWQ

    WNSC201200CWQ

    DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-3

    WeEn Semiconductors

    4,087
    RFQ
    WNSC201200CWQ

    Datenblatt

    - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 1200 V 510pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 175°C (Max)
    WNSC401200CWQ

    WNSC401200CWQ

    DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO247-3

    WeEn Semiconductors

    5,908
    RFQ
    WNSC401200CWQ

    Datenblatt

    - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 40A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 810pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 175°C (Max)
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