Bomkey (HK) Elektronik GmbH!

    Brückengleichrichter

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Diodentyp Technologie Spannung - Spitzensperrspannung (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Strom - Sperrleck @ Vr Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    GBU4JL-BP

    GBU4JL-BP

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU

    Micro Commercial Co

    615
    RFQ
    GBU4JL-BP

    Datenblatt

    - 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 600 V 4 A 900 mV @ 4 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C - - Through Hole GBU
    KBU607G

    KBU607G

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU

    Taiwan Semiconductor Corporation

    446
    RFQ
    KBU607G

    Datenblatt

    - 4-SIP, KBU Tray Active Single Phase Standard 1 kV 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole KBU
    GBU2506-G

    GBU2506-G

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.2A GBU

    Comchip Technology

    202
    RFQ
    GBU2506-G

    Datenblatt

    - 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 600 V 4.2 A 1 V @ 12.5 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    VS-2KBB80R

    VS-2KBB80R

    BRIDGE RECT 1P 800V 1.9A 2KBB

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    610
    RFQ
    VS-2KBB80R

    Datenblatt

    - 4-SIP, 2KBB Bulk Active Single Phase Standard 800 V 1.9 A 1.1 V @ 1.9 A 10 µA @ 800 V -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 2KBB
    GBU1506-G

    GBU1506-G

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBU

    Comchip Technology

    200
    RFQ
    GBU1506-G

    Datenblatt

    - 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 600 V 15 A 1 V @ 7.5 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    GBU6B

    GBU6B

    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU

    onsemi

    1,931
    RFQ
    GBU6B

    Datenblatt

    - 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 100 V 6 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    BR81

    BR81

    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A BR-8

    GeneSiC Semiconductor

    410
    RFQ
    BR81

    Datenblatt

    - 4-Square, BR-8 Bulk Active Single Phase Standard 100 V 8 A 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 100 V -65°C ~ 125°C (TJ) - - Through Hole BR-8
    KBU807G

    KBU807G

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU

    Taiwan Semiconductor Corporation

    428
    RFQ
    KBU807G

    Datenblatt

    - 4-SIP, KBU Tray Active Single Phase Standard 1 kV 8 A 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole KBU
    GBU4A

    GBU4A

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBU

    onsemi

    467
    RFQ
    GBU4A

    Datenblatt

    - 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 50 V 4 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    GBU804

    GBU804

    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A GBU

    Diodes Incorporated

    349
    RFQ
    GBU804

    Datenblatt

    - 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 400 V 8 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    VS-1KAB60E

    VS-1KAB60E

    BRIDGE RECT 1P 600V 1.2A D-38

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    133
    RFQ
    VS-1KAB60E

    Datenblatt

    - 4-Square, D-38 Bulk Active Single Phase Standard 600 V 1.2 A 1.1 V @ 1.2 A - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole D-38
    GBU6M

    GBU6M

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU

    onsemi

    764
    RFQ
    GBU6M

    Datenblatt

    - 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 1 kV 6 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    GBU4G-E3/51

    GBU4G-E3/51

    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A GBU

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    1,877
    RFQ
    GBU4G-E3/51

    Datenblatt

    - 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 400 V 3 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    GBU4K-E3/45

    GBU4K-E3/45

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBU

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    1,385
    RFQ
    GBU4K-E3/45

    Datenblatt

    - 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 800 V 3 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    VS-1KAB20E

    VS-1KAB20E

    BRIDGE RECT 1P 200V 1.2A D-38

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    480
    RFQ
    VS-1KAB20E

    Datenblatt

    - 4-Square, D-38 Bulk Active Single Phase Standard 200 V 1.2 A 1.1 V @ 1.2 A 10 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole D-38
    GBU4K

    GBU4K

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU

    onsemi

    224
    RFQ
    GBU4K

    Datenblatt

    - 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 800 V 4 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    GBU4G

    GBU4G

    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBU

    onsemi

    866
    RFQ
    GBU4G

    Datenblatt

    - 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 400 V 4 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    VS-1KAB100E

    VS-1KAB100E

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.2A D-38

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    368
    RFQ
    VS-1KAB100E

    Datenblatt

    - 4-Square, D-38 Bulk Active Single Phase Standard 1 kV 1.2 A 1.1 V @ 1.2 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole D-38
    GBU1004

    GBU1004

    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBU

    Diodes Incorporated

    278
    RFQ
    GBU1004

    Datenblatt

    - 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 400 V 10 A 1 V @ 5 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    GBU8G-E3/45

    GBU8G-E3/45

    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3.9A GBU

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    774
    RFQ
    GBU8G-E3/45

    Datenblatt

    - 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 400 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
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