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    STMicroelectronics STG3P2M10N60B

    Teilenr.:
    STG3P2M10N60B
    Hersteller:
    STMicroelectronics
    Kategorie:
    IGBT Module
    Verpackung:
    SEMITOP®2
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikSTG3P2M10N60B.pdf
    Beschreibung:
    IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
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    STG3P2M10N60B Spezifikationen

    STMicroelectronics STG3P2M10N60B technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics STG3P2M10N60B.
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    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    STMicroelectronics
    Serie:
    SEMITOP®
    Verpackung/Gehäuse:
    SEMITOP®2
    Verpackung:
    Bulk
    Produktstatus:
    Obsolete
    IGBT-Typ:
    -
    Konfiguration:
    Three Phase Inverter
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    600 V
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    19 A
    Leistung – Max:
    56 W
    Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
    2.5V @ 15V, 7A
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    10 µA
    Eingangskapazität (Cies) @ Vce:
    720 pF @ 25 V
    Eingang:
    Single Phase Bridge Rectifier
    NTC-Thermistor:
    No
    Betriebstemperatur:
    -40°C ~ 150°C (TJ)
    Montageart:
    Chassis Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    SEMITOP®2
    Kategorie:
    IGBT Module
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    STG3P2M10N60B Vergleich

    Bilder STG3P2M10N60B
    Teilenr. STG3P2M10N60B
    Hersteller STMicroelectronics
    Series SEMITOP®
    Package/Case SEMITOP®2
    Packaging Bulk
    Product Status Obsolete
    IGBT Type -
    Configuration Three Phase Inverter
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V
    Current - Collector (Ic) (Max) 19 A
    Power - Max 56 W
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 7A
    Current - Collector Cutoff (Max) 10 µA
    Input Capacitance (Cies) @ Vce 720 pF @ 25 V
    Input Single Phase Bridge Rectifier
    NTC Thermistor No
    Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type Chassis Mount
    Supplier Device Package SEMITOP®2

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